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[发明专利]一种具备微结构的三层氮化硅减反层及其制备方法-CN202011090280.1有效
发明人：刘玉申;况亚伟;张树德;洪学鹍;魏青竹;倪志春;王书昶;郝明辉;张德宝 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层，包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小，所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法，以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜，由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率，通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。
一种具备微结构三层氮化硅减反层及其制备方法

[发明专利]具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层及其形成方法-CN201310566294.X有效
发明人：陈韦廷;黄家琦;黄俊杰;胡友元 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供一种具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层，包括：第一氮化硅膜；设置于第一氮化硅膜之上的第二氮化硅膜；设置于第二氮化硅膜之上的第三氮化硅膜，其中第一氮化硅膜与第三氮化硅膜的厚度小于第二氮化硅膜的厚度，第一氮化硅膜与第三氮化硅膜中的N‑H键含量低于第二氮化硅膜中的N‑H键含量，且第三氮化硅膜与第一氮化硅膜中的N‑H键含量之差不小于5%。此外，本发明的三层氮化硅膜在同一腔室中以相同原料气体一次性连续形成，工艺简单、成本低，且三层均为氮化硅膜，具有良好的界面性能。
氮化硅膜蚀刻栅极绝缘层三层斜坡状侧面界面性能连续形成同一腔室原料气体一次性致密性

[发明专利]一种适用于MWT太阳能电池的多层复合膜及其制造方法-CN202310303454.5在审
发明人：钱小芳;徐建华;彭小江;范琼 -专利权人：江苏日托光伏科技股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公布了一种适用于MWT太阳能电池的多层复合膜及其制造方法，该多层复合膜位于硅片表面的氧化铝层上，自内向外依次为：第二氮化硅层、碳氮化硅层、第三氮化硅层、氮氧化硅层以及氧化硅层；其中所述第三氮化硅层为由19‑21nm的第四氮化硅层、20‑30nm的第五氮化硅层以及30‑40nm的第六氮化硅层叠置组成。本发明通过氧化铝膜和氮化硅膜中间先加镀一层氮化硅膜，对氧化铝进行重构，再镀一层碳氮化硅膜，碳氮化硅的折射率高于氮化硅，所以底层高折射率的膜层起到优化钝化效果，然后在氮化硅膜外侧镀上氮氧化硅膜和氧化硅膜，氮氧化硅和氧化硅的折射率低于2.0，可以做到2.0以下的折射率，进一步减少了光损失。
一种适用于 mwt 太阳能电池多层复合及其制造方法

[发明专利]一种高分子材料表面增亮耐磨镀膜工艺及其制得的光学镀膜-CN202111499911.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市恒鼎新材料有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高分子材料表面增亮耐磨镀膜工艺，其特征在于，包括以下步骤：镀氮化硅打底层步骤：在待镀膜工件表面通过溅射镀膜，镀氮化硅打底层；镀光学膜层步骤：在氮化硅打底层上镀氮化硅和碳化硅合金膜层，然后在氮化硅和碳化硅合金膜层上镀氮化硅过渡层，作为一个光学周期，镀光学膜层步骤包括若干光学周期；镀耐磨层步骤：在光学镀膜层上镀氮化硅和碳化硅合金膜层，通过上述设置，氮化硅和碳化硅合金膜层放在两层氮化硅之间，可以消除氮化硅膜层本身的应力；用氮化硅和碳化硅合金膜层作为外观膜层，能够提供更高的膜层折射率，提升膜层的光泽度和亮度，耐磨性好。
一种高分子材料表面耐磨镀膜工艺及其光学

[实用新型]太阳能电池的双层氮化硅减反膜结构-CN201120425191.8有效
发明人：黄兴 -专利权人：上海索日新能源科技有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池的双层氮化硅减反膜结构，包括设置在电池表面的双层氮化硅减反膜，所述双层氮化硅减反膜为外层低折射率氮化硅减反膜和内层高折射率氮化硅减反膜，内层高折射率氮化硅减反膜比外层低折射率氮化硅减反膜薄，且外层低折射率氮化硅减反膜与内层高折射率氮化硅减反膜光学匹配。外层低折射率氮化硅减反膜与内层高折射率氮化硅减反膜光学匹配，可以降低正表面的反射率，由于短波响应的增强，双层膜增透的短波部分的太阳光在电池正表面得以响应从而转化为短路电流的提高。
太阳能电池双层氮化硅减反膜结构

[实用新型]硬质光学膜及玻璃产品-CN201721724122.0有效
发明人：李可峰;许仁 -专利权人：维达力实业（深圳）有限公司;万津科技有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硬质光学膜及玻璃产品。所述硬质光学膜包括氮化硅层和氧氮化硅层，氮化硅层和氧氮化硅层层叠设置。所述硬质光学膜通过氮化硅层和氧氮化硅层层叠配合设置，并可通过调整氮化硅层和氧氮化硅层的厚度使硬质光学膜满足预设的光透射要求并具有高硬度，表面不易被划伤，进而避免膜层因微观挫伤造成的光学颜色差异，同时所述硬质光学膜还具有良好的耐摩擦性和耐溶剂性
光学膜硬质氮化硅层氧氮化硅层玻璃产品氧氮化硅本实用新型光学颜色耐摩擦性耐溶剂性配合设置高硬度光透射划伤膜层预设挫伤微观

[发明专利]一种提升P型双面电池双面率的背膜及其制备方法-CN201911359230.6在审
发明人：胡茂界;丁晨;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种提升P型双面电池双面率的背膜结构，包括电池片，电池片的背面依次沉积有氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化硅膜，氮化硅膜包括上层氮化硅膜、中层氮化硅膜、下层氮化硅膜，上、中、下三层氮化硅膜的厚度逐渐升高，折射率逐渐降低，氮化硅膜的总膜厚为35至55纳米，氮化硅膜的总折射率为2.12至2.20，通过本发明改进背面膜层结构以及优化镀膜工艺，有效的降低电池片背面的反射率，增加光的吸收，提升P型双面SE PERC
一种提升双面电池及其制备方法

[发明专利]太阳能电池板、其制备方法及包含其的太阳能电池-CN201310581582.2有效
发明人：马继奎;徐卓;李永超;孙宁宁;安海娇 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：该太阳能电池板包括硅片以及设置在硅片上的氮化硅膜。其中，氮化硅膜包括第一氮化硅层与第二氮化硅层；第一氮化硅层形成在硅片上；第二氮化硅层形成在第一氮化硅层上；且第二氮化硅层的折射率大于第一氮化硅层的折射率。本发明的太阳能电池板中，在硅片表面设置具有两层结构的氮化硅膜，并使位于外层的第二氮化硅层的折射率大于第一氮化硅层的折射率。能够增加氮化硅膜表面对紫外线的阻挡作用，进而使进入氮化硅膜的紫外线强度减弱。这就能够在一定程度上阻止进入的紫外线激活氮化硅膜内部的K0基团，进而减少电荷俘获中心的产生，从而降低太阳能电池的光致衰减问题。
太阳能电池板制备方法包含太阳能电池

[发明专利]层叠型半导体元件的制造方法、层叠型半导体元件及其制造装置-CN201410109233.5有效
发明人：长谷部一秀;大部智行;黑川昌毅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：具备下述步骤层叠膜形成步骤，其具有下述工序氧化硅膜形成工序，使用三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、六甲基二硅氮烷和二乙基硅烷中的任一种在半导体基板上形成氧化硅膜；和氮化硅膜形成工序，在通过氧化硅膜形成工序形成的氧化硅膜上形成氮化硅膜，重复多次氧化硅膜形成工序和氮化硅膜形成工序，在半导体基板上形成交替配置多个氧化硅膜与多个氮化硅膜的层叠膜；氮化硅膜蚀刻步骤，将构成层叠膜的氮化硅膜进行蚀刻；降低碳浓度的步骤，将氮化硅膜蚀刻步骤中没有被蚀刻的氧化硅膜中的碳去除而降低碳浓度；以及电极形成步骤，在氮化硅膜蚀刻步骤中被蚀刻的区域形成电极。
层叠半导体元件制造方法及其装置

[发明专利]氮化硅膜的形成方法以及氮化硅膜的形成装置-CN201610156582.1在审
发明人：佐藤敬信 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化硅膜的形成方法以及氮化硅膜的形成装置。氮化硅膜的形成方法包括：将被处理体收容于反应室内的收容工序；在收容到所述反应室内的被处理体上形成氮化硅膜的氮化硅膜形成工序；向收容有形成有所述氮化硅膜的被处理体的反应室供给具有不饱和键的碳氢化合物，对形成的所述氮化硅膜的表面进行碳封端的碳吹扫工序；将形成有所述表面被碳封端了的氮化硅膜的被处理体向所述反应室外输出的输出工序。
氮化形成方法以及装置

[发明专利]通过添加碳降低氮化硅蚀刻速率的方法-CN200710126049.1有效
发明人：瑞维克·巴哈迪亚;夏立群;查德·彼得森;海彻姆·马萨德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供了形成掺杂碳的氮化硅硬掩膜的方法。所述氮化硅硬掩膜包括掺杂碳的氮化硅层和未掺杂的氮化硅层。本发明提供了由包含碳源化合物、硅源化合物和氮源的化合物在RF功率的存在下沉积的掺杂碳的氮化硅层。本发明还提供了对氮化硅层进行UV后处理以提供氮化硅硬掩膜的方法。所述掺杂碳的氮化硅层和经UV后处理的氮化硅层具有硬掩膜层所期望的湿法蚀刻速率和干法蚀刻速率。
通过添加降低氮化蚀刻速率方法

[发明专利]制造具有绝缘性能提高的氮化膜的半导体器件的方法-CN200410045757.9无效
发明人：泷本俊英 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括通过下列步骤形成两层氮化硅膜作为绝缘膜：将含氮气体与二氯甲硅烷反应，形成一层氮化硅膜；将含氮气体与由硅和氯组成的化合物反应，形成另一层氮化硅膜。一层氮化硅膜的漏电流性能优越，而另一层氮化硅膜的沉积速度比一层氮化硅膜的沉积速度快，导致氮化硅膜的绝缘性能改善并使模拟膜的产量较高。
制造具有绝缘性能提高氮化半导体器件方法

[发明专利]一种适用黑组件的晶硅太阳能电池正膜膜层结构及其制备方法-CN202210663188.2在审
发明人：刘贤金;彭碧;周塘华;易辉;郭英江;江庆 -专利权人：湖南红太阳新能源科技有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用黑组件的晶硅太阳能电池正膜膜层结构及其制备方法，该正膜膜层结构包括由下至上依次设置的氧化层、高折射率氮化硅膜层、低折射率氮化硅膜层、超低折射率氮化硅膜层和氧化硅膜层，高折射率氮化硅膜层、低折射率氮化硅膜层、超低折射率氮化硅膜层、氧化硅膜层的折射率依次递减。制备方法包括采用PECVD沉积方法在底层氧化层上先后制备高折射率氮化硅膜层、低折射率氮化硅膜层、超低折射率氮化硅膜层和氧化硅膜层。本发明的晶硅太阳能电池正膜膜层结构可改善片内和片间膜层均匀性，最大程度降低正面反射率，使组件外观效果呈现黑色，有效解决黑色电池片边缘发蓝和片间颜色差异问题。
一种适用组件太阳能电池正膜膜层结构及其制备方法

[发明专利]氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法-CN202011082907.9在审
发明人：深泽笃毅;优财津;陈珮嘉 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于在衬底上形成的阶梯上形成氧化硅膜的方法，其包含：(a)通过预先选择初始氮化硅膜的目标部分，参照初始氮化硅膜的非目标部分，选择性地沉积或去除或重整产生最终氧化硅膜来设计最终氧化硅膜的拓扑结构；和(b)根据工艺(a)中设计的拓扑结构在阶梯的表面上形成初始氮化硅膜和最终氧化硅膜，其中初始氮化硅膜使用含卤素的含硅前体通过ALD来沉积，并且通过氧化初始氮化硅膜将初始氮化硅膜转化为最终氧化硅膜，而不进一步沉积膜，其中初始氮化硅膜中的Si‑N键转化为Si‑O键。
氧化拓扑选择性形成方法

[发明专利]具有抗蚀刻氮化物层的半导体元件的制备方法-CN202110908605.0在审
发明人：林诗恩;吴威政;曾纬伦;吴文杰 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供半导体元件的制备方法，包括：提供基底在反应腔室中；形成未处理氮化硅膜在基底上；形成处理过氮化硅膜在未处理氮化硅膜上。形成未处理氮化硅膜包括：(a)供应第一硅前驱物进入反应腔室；(b)供应氮前驱物进入反应腔室。(a)与(b)按序且重复执行以形成未处理氮化硅膜。形成处理后氮化硅膜包括：(c)提供第二硅前驱物进入反应腔室；(d)通过提供多个氢自由基进入反应腔室以减少来自第二硅前驱物的化学物种中的杂质来执行第一氢自由基清除；(e)供应第二氮前驱物进入反应腔室。(c)、(d)及(e)按序且重复执行以形成处理后氮化硅膜。未处理氮化硅膜与处理后氮化硅膜一起形成氮化硅层。
具有蚀刻氮化物半导体元件制备方法

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